PLASMA PROFILING TOFMS™

• Phân tích trực tiếp và nhanh: không cần buồng chân không cao và bước chuẩn bị sơ bộ.
• Phù hợp với mọi dạng vật liệu và chất phủ.
• Phân tích trên toàn dải khối phổ: từ nguyên tố H đến U và thông tin phân tử, bao gồm theo dõi đồng vị.
• Dữ liệu 3D độc đáo
• Độ phân giải sâu cao: khả năng phân tích lớp mỏng 1nm
• Chiều dầy phân tích: đến 100μm
• Phân tích bán định lượng: hiệu ứng ma trận do quá trình phún xạ và ion hóa tách biệt.

Vui lòng click vào đây để có thêm thông tin về sản phẩm

Nhà sản xuất: HORIBA Scientific

• Tốc độ xử lý: 33kHz trên dải nguyên tố đến U (thu 1 phổ đầy đủ là 30μs)
• Phân giải khối phổ: 3500 tại m/s 208, 5000 tại m/z 208
• Dải động học: 10⁷
• Độ chính xác khối (m/z sai số/ m/z thực): 40 ppm
• Độ nhạy: 103 cps/ppm
• Độ phân giải chiều sâu: cỡ nm
• Khả năng tẩy trống linh hoạt với mode ion âm và dương: đến 4 ions
• Đưa mẫu theo chiều ngang, đơn giản và dễ dàng

• Download Plasma Profiling TOFMS Brochure