Công nghệ đo và phân tích bán dẫn

HORIBA có rất nhiều thiết bị để xử lý các vật liệu bán dẫn bao gồm silicon, germanium, gali arsenide, cacbua silic, gali nitrit và các loại khác, đáp ứng các yêu cầu từ phân tích tạp chất và chất gây ô nhiễm đến phân tích khuyết tật và kiểm soát quy trình.

Các kỹ thuật phân tích đa dạng của HORIBA cung cấp cho các quy trình sản xuất những dữ liệu quan trọng, giúp đảm bảo hiệu suất xử lý.

Thiết bị phân tích phổ Elip

Thiết bị quang phổ GD-OES

Thiết bị phân tích O/N/H

• Có thể phân tích độ dày màng từ siêu mỏng đến 80 μm
• Chức năng vi điểm có sẵn cho các mẫu kết cấu
• Bệ mẫu lập bản đồ tự động để đo độ đồng nhất của màng sơn

• Phân tích nhanh (μm/phút)
• Dải đo rộng từ H (Hydro) đến U (Uranium)
• Không cần xử lý trước và không cần chân không cực cao

Phân tích Ôxy trong wafer Si 

• Đo nhanh (< 5 phút)
• Dải đo đo rộng (ppm ∼ %)
• Các phụ kiện/chức năng tùy chỉnh khác nhau (ví dụ: Bộ lấy mẫu tự động)

Sinh khí Hydro

Máy sinh khí Hydro

• Trang bị nhiều cảm biến an toàn
• Thiết kể nhỏ gọn phù hợp với các thiết bị phân tích và sắc khí kế

Phân tích cấu trúc với độ phân giải không gian vượt quá giới hạn nhiễu xạ của ánh sáng

• Độ dày màng, Độ nhám
• Tính chất điện
• Nồng độ chất mang
• Số lớp vật liệu 2D
• Phân tích hóa học, khuyết tật/tạp chất ở cấp độ nano

Tiếp theo>>

• Đo độ dày màng
• Phân tích thành phần nguyên tố
• Phân tích khiếm khuyết/tạp chất

• Kích thước hạt
• Thế Zeta
• Nồng độ

• Kiểm soát khí từ lưu lượng vi mô đến lưu lượng lớn, 10 SCCM đến 1000 SLM
• Nhiều loại kết nối và bộ cấp nguồn
• Độ chính xác SP cao: +/- 1,0% SP
• Phản hồi nhanh 1 giây
• Sử dụng với nhiều loại khí, nhiều dải đo

Tiếp theo>>

• Dải đo áp suất chân không từ 1 torr đến 1000 torr
• Độ chính xác cao (0,5% R.S.) và độ phân giải cao (0,03% F.S.)
• Phương pháp xử lý tín hiệu gốc để đo chính xác
• Kết cấu inox cho mọi khu vực tiếp xúc với khí
• Đo áp suất trực tiếp ổn định

Tiếp theo>>