DETECTOR ĐƠN ĐIỂM
Photomultiplier Detectors
Photomultiplier Detectors |
Detector Material |
Wavelength Range (nm) |
Active Area, mm |
Dark Current (nA) |
Cooling |
Chopper & Lock-In or Modulated Source |
---|---|---|---|---|---|---|
Multialkali Photocathode |
185 to 900 |
8 x 24 |
3 |
RT or TE |
Not Required |
|
Multialkali Photocathode |
160 to 900 |
8 x 24 |
3 |
RT or TE |
Not Required |
|
Bialkali Photocathode |
185 to 650 |
8 x 24 |
0.1 |
RT or TE |
Not Required |
|
InGaAs Photocathode |
185 to 1010 |
3 x 12 |
1 |
TE |
Not Required |
1 Dual detectors consist of a silicon detector on top of a NIR detector, where the Silicon transmits wavelengths above 1 μm
RT = Room Temperature
TE = Thermoelectric cooling
LN2 = Liquid nitrogen cooling
Solid State Detectors
Solid State Detectors |
Detector Material |
Wavelength Range (μm) |
Active Area, mm |
Sensitivity (D*) |
Cooling |
Chopper & Lock-In or Modulated Source |
---|---|---|---|---|---|---|
Silicon (Si) |
0.20 to 1.10 |
2.5 mm Ǿ |
1.48E+14 |
RT |
Not Required |
|
Silicon (Si) |
0.20 to 1.00 |
2.5 mm Ǿ |
2.22E+14 |
TE |
Not Required |
|
Indium gallium arsenide (InGaAs) |
0.80 to 1.70 |
2 mm Ǿ |
3.54E+13 |
RT |
Not Required |
|
Indium gallium arsenide (InGaAs) |
0.80 to 1.65 |
2 mm Ǿ |
1.18E+14 |
TE |
Not Required |
|
Indium gallium arsenide (InGaAs) |
0.80 to 1.55 |
2 mm Ǿ |
1.77E+15 |
LN2 |
Not Required |
|
InGaAs Extended |
1.00 to 2.05 |
1 mm Ǿ |
8.86E+12 |
TE |
Recommended |
|
InGaAs Extended |
1.00 to 1.90 |
1 mm Ǿ |
4.43E+13 |
LN2 |
Recommended |
|
InGaAs Extended |
1.20 to 2.40 |
1 mm Ǿ |
1.77E+12 |
TE |
Recommended |
|
InGaAs Extended |
1.30 to 2.20 |
1 mm Ǿ |
8.86E+12 |
LN2 |
Recommended |
|
Germanium (Ge) |
0.80 to 1.80 |
2 mm Ǿ |
3.94E+12 |
RT |
Not Required |
|
Germanium (Ge) |
0.80 to 1.60 |
2 mm Ǿ |
3.54E+13 |
TE |
Not Required |
|
Germanium (Ge) |
0.80 to 1.50 |
2 mm Ǿ |
7.09E+14 |
LN2 |
Not Required |
|
Lead sulfide (PbS) |
1.00 to 2.80 |
2 x 2 |
1.00E+12 |
RT |
Required |
|
Lead sulfide (PbS) |
1.00 to 2.80 |
2 x 2 |
6.67E+12 |
TE |
Required |
|
Indium arsenide (InAs) |
1.00 to 3.50 |
2 mm Ǿ |
8.86E+09 |
RT |
Recommended |
|
Indium arsenide (InAs) |
1.00 to 3.40 |
2 mm Ǿ |
1.77E+11 |
TE |
Recommended |
|
Lead selenide (PbSe) |
1.00 to 4.50 |
2 x 2 |
2.00E+10 |
RT |
Required |
|
Lead selenide (PbSe) |
1.00 to 4.50 |
2 x 2 |
1.00E+11 |
TE |
Required |
|
Mercury cadmium telluride (HgCdTe) |
1.00 to 5.00 |
2 x 2 |
1.00E+11 |
TE |
Required |
|
Indium antimonide (InSb) |
1.00 to 5.40 |
2 mm Ǿ |
1.20E+11 |
LN2 |
Recommended |
|
Mercury cadmium telluride (HgCdTe) |
2.00 to 14.00 |
2 x 2 |
4.00E+11 |
LN2 |
Required |
|
Mercury cadmium telluride (HgCdTe) |
2.00 to 20.0 |
2 x 2 |
6.67E+10 |
LN2 |
Required |
1 Dual detectors consist of a silicon detector on top of a NIR detector, where the Silicon transmits wavelengths above 1 μm
RT = Room Temperature
TE = Thermoelectric cooling
LN2 = Liquid nitrogen cooling
Pyroelectric Detector
Pyroelectric Detector |
Detector Material |
Wavelength Range (μm) |
Active Area, mm |
Sensitivity (D*) |
Cooling |
Chopper & Lock-In or Modulated Source |
---|---|---|---|---|---|---|
Lithium tantalate (LiTaO3) |
2.00 to 16.00 |
2 mm Ǿ |
1.77E+09 |
RT |
Required |
1 Dual detectors consist of a silicon detector on top of a NIR detector, where the Silicon transmits wavelengths above 1 μm
RT = Room Temperature
TE = Thermoelectric cooling
LN2 = Liquid nitrogen cooling
Solid State Dual Detectors1
Detectors from 200 nm to 20 µm
Nhà sản xuất: HORIBA Scientific
Photomultiplier Tubes
Solid State Detectors
- Silicon
- Indium Gallium Arsenide (1.7 µm)
- Indium Gallium Arsenide (2.0 µm)
- Indium Gallium Arsenide (2.4 µm)
- Germanium
- Lead Sulfide
- Indium Arsenide
- Lead Selenide
- Indium Antimonide
- Mercury Cadmium Telluride (5 µm)
- Mercury Cadmium Telluride (14 µm)
- Mercury Cadmium Telluride (20 µm)
- Lithium Tantalate
Dual Color Solid State Detector
Các detector đơn điểm của HORIBA thông thường được sử dụng kết hợp với các máy quang phổ và máy đơn sắc của HORIBA và rất nhiều linh kiện quang điện tử và phần mềm tương thích để xây dựng các giải pháp quang phổ.
Phân tích các vật liệu phản quang, đặc biệt là các vật liệu sử dụng trong sản xuất detector, yêu cầu so sánh giữa các vật liệu mới phản ứng với ánh sáng tới với 1 vật liệu tham chiếu đã biết. Các loại máy đơn sắc, adapter và detector trạng thái rắn có thể được sử dụng kết hợp với quả cầu tích hợp để phân tích các loại vật liệu trên dải bước sóng rộng từ UV-giữa IR. Với việc chọn thêm đa detector đồng thời, không cần phải thay đổi các detector tham khảo trên quả cầu tích hợp. Hơn nữa, bộ chỉnh lưu và adapter lọc tích hợp cho phép điều biến cả ánh sáng tới và phân tách các trật tự nhiễu xạ cao hơn trong cùng một hệ thống.
Các công nghệ quang phổ hấp thụ/truyền qua/phản xạ được sử dụng rộng rãi để xác định các tính chất của vật liệu. Tính module của hệ thống quang phổ HORIBA vượt trội hơn so với hệ thống quang phổ UV-VIS truyền thống bằng cách cho phép quý khách mở rộng các khả năng thí nghiệm. Cách tử kép tự động có thể hoán đổi kết hợp với bánh xe lọc phân loại trật tự được động cơ hóa, cổng ra kép của microHR và nhiều nguồn sáng và detector mang tới sự linh hoạt cần thiết cho toàn dải bước sóng từ 180nm đến 20micon.
Với các linh kiện quang phổ của HORIBA Scientific, khách hàng có thể thiết kế máy huỳnh quang tùy chỉnh bằng cách sử dụng các máy quang phổ iHR làm các máy quang phổ kích thích và phát xạ với sự lựa chọn các loại nguồn kích thích, buồng mẫu và detector. Điều khiển toàn bộ hệ thống bằng phần mềm Syner JY. Bộ phận Huỳnh quang HORIBA Scientific cung cấp rất nhiều máy quang phổ chuyên dụng và cả thiết bị huỳnh quang thời gian sống miền thời gian và miền tần số, là các thiết bị có độ nhạy cao nhất trên thị trường thiết bị phân tích và nghiên cứu.
Phát quang là công nghệ đơn giản để phân tích vật liệu bán dẫn. Thiết bị iHR550 được trang bị detector CCD được làm mát trong dải 400-1000nm và một detector inGaAs trong dải 800-1600 là hệ thống đo phát quang tuyệt vời. Cấu hình quang học riêng có thể được thiết kế để PL trogn nhiệt độ phòng và nhiệt độ thấp sử dụng cùng máy quang phổ iHR. Các máy quang phổ iHR rất linh hoạt để thay đổi các thí nghiệm và cấu hình quang học để đáp ứng nhu cầu của khách hàng.
Việc ghi lại đồng thời các phổ tại nhiều điểm khác nhau trong plasma có thể cung cấp những thông tin quan trọng về các hiện tượng khác nhau trong không gian. Một sợi quang có nhiều đầu vào có thể thu ánh sáng từ nhiều điểm khác nhau trong plasma và sắp xếp các tín hiệu vào đường thẳng tại khe vào của phổ. Tận dụng độ phân giải cao của máy đơn sắc 1250M và độ nhạy cao của hệ thống CCD Symphony II làm mát bằng nitơ lỏng, các dữ liệu riêng biệt trong không gian thu được trên CCD và hiển thị các phổ phát xạ độc lập từ các điểm thu sợi quang khác nhau.
Learn more about key parameters of a spectrograph/monochromator
- 2.1 Basic Designs
- 2.2 FastieEbert Configuration
- 2.3 CzernyTurner Configuration
- 2.4 CzernyTurner/FastieEbert PGS Aberrations
- 2.5 Concave Aberration Corrected Holographic Gratings
- 2.6 Calculating α and β in a Monochromator Configuration
- 2.7 Monochromator System Optics
- 2.8 Aperture Stops and Entrance and Exit Pupils
- 2.9 Aperture Ratio (f/value,f/Number),and Numerical Aperture (NA)
- 2.10 Exit Slit Width and Anamorphism
- 2.11 Slit Height Magnification
- 2.12 Bandpass and Resolution
- 2.13 Order and Resolution
- 2.14 Dispersion and Maximum Wavelength
- 2.15 Order and Dispersion
- 2.16 Choosing a Monochromator/Spectrograph
- 3.1 Definitions
- 3.2 Relative System Throughput
- 3.3 Flux Entering the Spectrometer
- 3.4 Example of Complete System Optimization with a Small Diameter Fiber Optic Light Source
- 3.5 Example of Complete System Optimization with an Extended Light Source
- 3.6 Variation of Throughput and Bandpass with Slit Widths